ST意法  STF7NM60N  MOS管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:12 nC

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:20 W

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel 

类型:Power MOSFET

 商标:STMicroelectronics

 产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs

 单位重量:330 mg

STF7NM60N  MOS管

特征

■100％雪崩测试

■低输入电容和栅极电荷

■低栅极输入电阻

应用

切换应用

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

用第二代实现

MDmesh TM技术。 它适用于的好处

意法半导体（ST）

着名的PowerMESH™水平布局

结构体。 终的产品提供了改进

导通电阻，栅极电荷低，dv / dt高

能力和的雪崩特性。

主营：

线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148

场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

MOS管  MOS管

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