FNK9926 MOS贴片场效应管MOSFET-操作原理丨乾野电子

型号/规格：
FNK9926
品牌/商标：
FNK
封装形式：
SOP-8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
盒带编带包装
功率特征：
中功率
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场效应管MOSFET(18)
∟ MOSFET(17)∟ 结型场效应管(1)
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商品信息 更新时间：2014-04-18

MOSFET详细说明

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。

MOS管生产厂家

场效应管MOS管生产厂家乾野电子，简称FNKTECH。生产从事各种大功率半导体器件与功率集成器件的设计，生产和销售。是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。且本公司MOS产品广泛应用于各类电动玩具，遥控飞机，遥控船，开关电源，UPS电源，电脑主板，显卡，电脑保护IC等。

操作原理

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容

金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。

MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载流子的漏极。