您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:首页 > 元器件(最新) > 半导体存储器 >

DRAM(MOS型动态存储器)

(共找到“34”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
1/2 跳至 下一页
  • 品牌:

    TOSHIBA

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    8000

  • 年份:

    18+

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 型号:

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP-16

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    10000

  • 型号:

    W972GG6JB-25

  • 牌子:

    WINBOND

  • 年份:

    最新

  • 封装:

    BGA84

  • 型号:

    H5TQ2G63FFR-PBC

  • 品牌:

    海力士SK Hynix

  • 封装:

    BGA96

  • 类别:

    128M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA96

  • 型号:

    FDD4685

  • 品牌:

    FAIRCHILD

  • 封装:

    TO-252-2

  • 数量:

    25000

  • FM33256B-G:

    小型14脚环保SOIC(-G)封装

FM33256 概述方 便使用的结构配置 工作电压:2.7~3.6V 小型14脚环保SOIC(-G)封装 低工作电流,待机电流:50uA 工作温度:-40℃~+85℃ FM33256集成了铁电存储器FRAM和处理器外围系统最常用的一些功能。其主要功能特...

  • 型号:

    IS42S32400D-6TL

  • 品牌:

    ISSI

  • 封装:

    TSOP

  • 批号:

    17+

  • MOQ:

    1PC

  • 厂家:

    Micron

  • 封装:

    96-FBGA

  • 包装:

    卷带

  • 存储容量:

    4Gb (256M x 16)

  • 型号:

    MT47H128M8CF-25EIT

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    10000

  • 品牌:

    三星/sansum

  • 容量:

    16G

  • 框架:

    X32

  • 速度:

    1866MBPS

  • 包装:

    960

  • 型号:

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商:

    Micron

  • 封装:

    FBGA-78

  • 描述:

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 包装数量:

    2000

  • 型号:

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 品牌:

    MIC

  • 封装:

    TSOP-II

  • 功能:

    存储芯片

  • 系列:

    EM68

  • 封装:

    FBGA84

  • 品牌:

    ETRON

  • 包装:

    2090pcs

  • 型号:

    AT24C32

  • 品牌:

    ATMEL

  • 封装:

    DIP/SOP-8

  • 包装:

    盘装编带

  • 批号:

    17+

    NT5CB128M16HP是南亚(NANAY)公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM,该芯片由16Mbit×16I/Os×8同步动态存储器构成,其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用...

    • 型号:

      HY57V641620ETP-7

    • 厂商:

      HYNIX

    • 封装:

      TSOP

    • 年份:

      17+

    • 说明:

      原装现货

      制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样” 1, 芯片的原料...

      • 型号:

        IDT54FCT374

      • 生产商:

        IDT

      • 类型:

        军温八进制D寄存器

      • 技术:

        双金属CMOS技术

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

      在采购DRAM(MOS型动态存储器)进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

      免责声明:以上所展示的DRAM(MOS型动态存储器)信息由会员自行提供,DRAM(MOS型动态存储器)内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

      友情提醒:为规避购买DRAM(MOS型动态存储器)产品风险,建议您在购买DRAM(MOS型动态存储器)相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。