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Nand flash

（共找到“64”条查询结果）
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ROM（只读存储器） QTP（掩膜ROM） OTP（一次可编程ROM） NVROM(非易失随机存储器） PROM（可编程ROM）

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

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源头工厂
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GLS85LS1032P-S-I-FZJE-TT095 托管型NAND
GLS85LS1032P-S-I-FZJE-TT095 托管型NAND
  • 品牌：

    : Greenliant

  • 产品类型：

    : Managed NAND

  • 存储容量：

    : 32 GB

  • 连续读取：

    : 70 MB/s

  • 连续写入：

    : 60 MB/s

  • 工作电源电压：

    : 3.3 V

GLS85LS1032P-S-I-FZJE-TT095 托管型NAND 32GB SATA BGA 145b (SLC 60K P/E) I-TEMP Product DescriptionGLS85LS1032P-S-I-FZJE-TT095 The GLS85LS1032P-S-I-FZJE-TT095GLS85LS1016P ...

存储器HY27UF082G2B原装进口现货现代HYNIX
存储器HY27UF082G2B原装进口现货现代HYNIX
  • 型号：

    HY27UF082G2B

  • 品牌：

    SK HYNIX

  • 封装：

    TSOP48

  • 产地：

    韩国

  • 电压：

    3.3V

存储器HY27UF082G2B 产品用途：应用于视频及数据方面的存储，256M Nand Flash hy27uf082g2b在电路中作用是作为FLASH中存储程序或数据的存储器。 存储器HY27UF082G2B产品图片： 存储器...

近程传感器 E2K-C25MF1 5M
近程传感器 E2K-C25MF1 5M
  • 制造商：

    Omron

  • 产品种类：

    近程传感器

  • 感应方式：

    Capacitive

  • 系列：

    E2K

  • 零件号别名：

    E2KC25MF15M

  • 工作电源电压：

    24 V

产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2K-C25MF1 5M 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Capacitive 近程传感器 E2K-C25MF1 5M 感应距离: 3 mm to 25 mm ...

近程传感器OMLON Electronics B5W-LA01
近程传感器OMLON Electronics B5W-LA01
  • 制造商：

    OMLON

  • 产品种类：

    近程传感器

  • 感应方式：

    Optical

  • 封装：

    Tray

  • 描述/功能：

    Microphotonic devices

  • 系列：

    B5W-LA01

制造商: OMLON 产品种类: 近程传感器 近程传感器OMLON Electronics B5W-LA01 RoHS: 详细信息 感应方式: Optical 感应距离: 22.8 mm to 70 mm 安装风格: Panel 工作温度: + 60 C 近程...

现代内存条 HMAA4GR8MMR4N-TF
现代内存条 HMAA4GR8MMR4N-TF
  • 品牌：

    现代

  • 封装：

    内存条

  • 年份：

    16+

  • 数量：

    500

亚太地区XILINX AD FREESCALR IN分销商 欢迎来电咨询！！ 亚太地区代理分销商AD、XILINX、ALTERA、IN等世界各IC。本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！ 深圳市斌腾达科技有限公司 ：赵 ： 传真： 手机： Q MSN;

存储芯片 H27UBG8T2BTR， H27UBG8T2BTR-BC原装现货
存储芯片 H27UBG8T2BTR， H27UBG8T2BTR-BC原装现货

    H27UBG8T2BTR-BC是一个单3.3V32Gbit_NAND闪存。它包含在一个单一模具的2个平面。每个平面是由1024个块组成。每个块包含256个可编程的页面。每一页包含8832字节。页被分为一个8192字节主数据存储区，一个备用640字节区。 可在典型的1300μ进行页编程操作，以及在典型的3.5ms可进行单一块可擦除。 建议零售价格仅用于预算，以...

    IM2P41B8-001TCTB5 存储卡，模块
    IM2P41B8-001TCTB5 存储卡，模块
    • 制造商：

      ADATA

    • 包装：

      托盘

    • 存储容量：

      1TB

    • 存储器类型：

      固态硬盘（SSD）

    • 外形尺寸：

      M.2 模块

    供应 IM2P41B8-001TCTB5 存储卡，模块产品属性类型描述选择 类别存储卡，模块固态硬盘（SSD），硬盘驱动器（HDD）制造商ADATA系列IM2P41B8包装托盘产品状态在售存储容量1TB存储器类型...

    SF-2582VB1-SCC 工业级SSD内存
    SF-2582VB1-SCC 工业级SSD内存
    • 型号：

      SF-2582VB1-SCC

    • 品牌：

      LIS

    • 内存：

      258

    • 数量：

      512

    • 包装方式：

      托盘

    SandForce的闪存控制器企业：SF2500，SF2600;客户：SF2200 DuraClass™技术•DuraWrite™扩展固态硬盘的耐用性 •智能块管理 ...

    采购H27S4G6F2ETR(X16)内存芯片
    采购H27S4G6F2ETR(X16)内存芯片
    • 封装：

      未封装

    • 名称：

      晶圆

    • 厚度：

      0.08mm

    • 容量：

      512M

    本公司需求AFND1208U1 AFND5608S1 HY27SF161G2M(X16) S34ML01G2 H9DA2GG51HMMBR HY27SF162G2M(X16) HY27SF081G2A S99MS02GR H27S4G8F2ETR H27S4G6F2ETR(X16)要求质量保证，欢迎洽谈。 内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）...

    • 庞博电子有限公司
    • 供应商等级：
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：075536677331

      手机：18825282418

    EMMC存储芯片 THGBMHG6C1LBAW6
    EMMC存储芯片 THGBMHG6C1LBAW6
    • 型号：

      THGBMHG6C1LBAW6

    • 容量：

      64GB

    • 工作温度：

      -25~85

    • 类型：

      EMMC

    EMMC存储芯片 THGBMHG6C1LBAW6 描述：THGBMHG6C1LBAIL e•MMCTM是一系列先进，高效的产品带有集成控制器的NAND闪存和增强的内存管理。基于由东芝JEDEC标准化的接口 e•MMC为应用提供了合适的解决方案其中需要存储更高的数据量以具有成本效...

    K6R1008V1D-UI10 嵌入式储存器
    K6R1008V1D-UI10 嵌入式储存器
    • 型号：

      K6R1008V1D-UI10

    • 封装：

      \t SOJ32

    • 品牌：

      SAMSUNG/三星

    • 年份：

      08+

    K6R1008V1D-UI10 嵌入式储存器 深圳市中芯达智能科技有限公司，是一家大型而的IC电子元器件、气动元器件代理分销商。货源稳定价格合理，长年被评为业界经销商。 IC电子元器件主营品牌有：ST TI ATMEL AD MAXIM ON NXP VISHAY XILINX MICRON SAMSUNG等品牌的单...

    分销商 特价 LTC2310CMSE-12#TRPBF
    分销商 特价 LTC2310CMSE-12#TRPBF
    • 型号：

      LTC2310CMSE-12

    • 厂商：

      Analog Devices

    • 封装：

      MSOP-16

    • 批号：

      18+

    • ​类别\t：

      数据采集 - 模数转换器

    • 工作温度：

      0°C ~ 70°C

    LTC2310CMSE-12 是一款低噪声、高速、12 位带符号位逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC，其具有差分输入和宽输入共模范围。LTC2310-12 采用单 3.3V 或 5V 工作电源，具有一个 8VP-P 的差分输...

    NANYA BGA NT6DM32M32BC-T1 原装现货
    NANYA BGA NT6DM32M32BC-T1 原装现货
    • 型号：

      NT6DM32M32BC-T1

    • 封装：

      BGA

    • 品牌：

      NANYA

    • 包装：

      1000PCS/REEL

    NT6DM32M32BC-T1 Nanya Technology DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 1Gbit 32Mx32 1.8V 不适用 不适用 政府高层官员昨（21）日透露，阶段台湾内存公司（TMC）将入股尔必达10%，主要是因尔必达股东的持股只有10%，台日双方已有默契，不希望TMC初期入股尔必达的持...

    IRF530NSTRLPBF INFINEON/英飞凌 表面贴装型 N 通道 100 V 17A
    IRF530NSTRLPBF INFINEON/英飞凌 表面贴装型 N 通道 100 V 17A
    • 产品：

      IRF530NSTRLPBF

    • 品牌：

      INFINEON

    • 封装：

      TO-263-2

    • 批次：

      21+

    深圳市创盛芯科技有限公司是一家电子元器件代理分销商。 公司自成立以来，在电子元器件行业兴起和网络科技的带 动下迈出了踊跃的一步。 经过多年的迅速发展，我司已成为全国各大厂家的长期供货商。 诚信是一家企业发展的源泉 <span style="white-spac...

    储存器 KLMAG1JETD-B041
    储存器 KLMAG1JETD-B041
    • 生产状况：

      批量

    • 生产密度：

      16 GB

    • 包装尺寸：

      11.5x13x0.8

    • 温度：

      （°C）-25°C〜85°C

    • 版本：

      5.1 MLC 2位MLC

    描述：KLMAG1JETD-B041 嵌入式存储设备的eMMC架构不仅包含数据存储元素（例如NAND闪存），还可以将用于存储元件的控制器集成在同一硅芯片上； 它允许设备和应用程序保持所需的数据速...

    MX25L25735EMI-12GTR
    MX25L25735EMI-12GTR
    • 品牌：

      MXIC

    • 封装：

      SOP16

    • 数量：

      12000

    • 类型：

      flash

    MX25L25735F is 256Mb bits serial Flash memory, which is configured as 33,554,432 x 8 internally. When it is in two or four I/O mode, the structure becomes 134,217,728 bits x 2 or 67,108,864 bits x 4. MX25L25635F feature a serial peripheral ...

    NOR闪存 M28W160CT70N6E
    NOR闪存 M28W160CT70N6E
    • 产品种类：

      NOR闪存

    • 安装风格:：

      SMD/SMT

    • 封装 / 箱体：

      TSOP-48

    • 存储容量:：

      16 Mbit

    • 接口类型:：

      Parallel

    • 组织：

      1 M x 16

    • 数据总线宽度:：

      16 bit

    • 电源电压-：

      2.7 V

    产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:NOR闪存安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-48系列:M28W存储容量:16 Mbit接口类型:Parallel组织:1 M x 16定时类型:Asynchron...

    MT29F1G08ABAEAWP:E Micron 20+ TSOP48 NAND闪存SLC 1G 128MX8
    MT29F1G08ABAEAWP:E Micron 20+ TSOP48 NAND闪存SLC 1G 128MX8
    • 品牌：

      Micron

    • 封装：

      TSOP48

    • 包装：

      托盘/卷带

    • marking：

      全型号

    参数详情 参数名称 参数值 是否Rohs 符合 生命周期 Active IHS 制造商 MICRON TECHNOLOGY INC 包装说明 TSOP1, Reach Compliance Code compliant ECCN代码 3A991.B.1.A HTS代码 8542....

    FRAM存储器 MB85RS1MTPNF-G-JNERE1，现货原装
    FRAM存储器 MB85RS1MTPNF-G-JNERE1，现货原装
    • 品牌：

      FUJITSU(富士通)

    • 厂家型号：

      MB85RS1MTPNF

    • 封装规格：

      SOP-8_150mil

    • 包装方式：

      编带

    品牌：FUJITSU(富士通) 厂家型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 封装规格：SOP-8_150mil 商品毛重：0.148克(g) 包装方式：编带 存储器构架(格式)：FRAM 存储器接口类型：SPI 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.8V ~ 3.6V 存储器类型：Non-Volatile 型号齐全，...

    XMC 全系列XM25QH64AHIG
    XMC 全系列XM25QH64AHIG
    • 1：

      \t存储器

    • 2：

      3.3V 64M SOP8

    • 3：

      \tSOP8

    • 4：

      代理XMC

    XM25QH64AHIG替代型号参考表：DensityXMC武汉新芯GD兆易创新MXIC旺宏EON宜扬WINBOND华邦4Mbit GD25Q40BTIGMX25L4006EM1I-12GEN25F40-100HIPW25Q40BVSSIG8Mbit GD25Q80CSIGMX25L8006EM2I-12GEN25Q80A-100HIPW25Q80BVSSIQ16MbitXM25QH16BHIGGD25Q16CSIGMX25L160...

    Nand flash行业资讯

    • 全球第二大NAND Flash大厂铠侠或在未来几天提出上市申请[2024-06-28]

      据知情人士透露，铠侠计划在8月提交一份完整的申请，10月底上市，不过上市时间可能会推迟到12月。　　铠侠表示，其首次公开募股（IPO）计划尚无最新进展，并拒绝就上市程序置评。　　上述知情人士表示，贝恩的目标是通过出售股票来收回资本，而铠侠计划通过发...

    • DRAM 延伸到 NAND Flash涨幅明显[2023-11-27]

      内存价格的上涨趋势从 DRAM 开始，现在已扩展到 NAND Flash。减产和需求复苏相结合，实现了成功的扭亏为盈。预计三星电子和SK海力士的业绩改善步伐也将加快。　　市场研究公司TrendForce 11月9日表示，三星电子预计今年第四季度NAND价格将上涨10%至15%。预计...

    • 内存价格上涨从DRAM延申到 NAND Flash[2023-11-13]

      内存价格的上涨趋势从 DRAM 开始，现在已扩展到 NAND Flash。减产和需求复苏相结合，实现了成功的扭亏为盈。预计三星电子和SK海力士的业绩改善步伐也将加快。　市场研究公司TrendForce 11月9日表示，三星电子预计今年第四季度NAND价格将上涨10%至15%。预计明...

    • 群联预测NAND Flash明年将出现缺货潮[2023-11-08]

      根据了解，近日市调机构TrendForce在报告中说明，从9月起，三星将NAND Flash闪存的减产幅度扩大到总产能的50%，主要是128层堆叠以下产品上，加速去库存，三星在2024年中期预计提高NAND Flash价格，计划每季涨价20%。　群联CEO潘健成表示，随着存储芯片的减产...

    • 警告，NAND Flash公司或面临破产[2023-05-09]

      Phison Electronics 首席执行官 KS Pua 在最近的一次会议上表示，进一步降低 NAND 价格是不可行的。他同时警告说，如果市场没有复苏，供应商可能会破产。DigiTimes 报道，尽管市场环境充满挑战，群联仍专注于 NAND 控制器的开发，并将继续大力投资研发 。 ...

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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