| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9434DY |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| *间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| *大漏*电流 | 0（mA） | *大耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| SI943*DY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 40 毫欧 @ 6.3A, 4.5V |
| 20V |
| 4.5A |
| 1.5V @ 250µA |
| 18nC @ 4.5V |
| - |
| 1.3W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 带卷 (TR) |
| 8-SOICN |
| 1613 (CN2010-11 Interactive) 1613 (CN2010-11 PDF) |
| SI943*DY-T1-E3TR |
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