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N沟MOSF管IRFR4104, 40v,42a,

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  • 企业名:深圳市钜腾电子有限公司

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商品信息

品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR4104
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 P-FET硅P沟道 开启电压 40(V)
夹断电压 40(V) *间电容 2950(pF)
*大漏*电流 420(mA) *大耗散功率 140(mW)

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFE

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称
IRFR4104PbF, IRFU4104PbF
DPAK Pkg
D Pak Side
2,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
5.5 毫欧 @ 42A, 10V
40V
4V @ 250µA
89nC @ 10V
42A
2950pF @ 25V
140W
表面贴装
DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)
带卷 (TR)
IRFR4104PBFTR
IRFR4104TRPBF-ND
IRFR4104TRPBFTR-ND

T

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