SP/*外形
SVF4N60D/F/T/M
N-FET硅N沟道
TR/激励、驱动
SL士兰微电子
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名：常州奕辰电子有限公司
类型：经销商
电话： 519-88099996
联系人：李建良
地址：江苏常州关河中路65号2号楼三楼3020室
∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
描述：
4A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D/F/T/M采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
封装形式：
TO-251-3L；TO-251D-3L；TO-252-2L；TO-220-3L；TO-220F-3L
特点：
∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力
主要*限参数(除非*说明，TC=25°C)：
漏源电压VDS：600V
栅源电压VGS：&plu*n;30V
漏*电流ID(TC=25°C/100°C)：4.0A/2.5A
漏*脉冲电流IDM：16A
详细参数资料请致电我司索取！
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
