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场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE

供应 场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE
供应 场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE
  • 型号/规格:

    SSM6N37FE

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOT-563-6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    4000/盘

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
    0755-83364431

    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息 更新时间:2013-08-17

新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323,SOT-23,SOT-416
SOT-563,SOT-723,SOT-883,CST4,UDFN6B,UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护,用于锂电保护,航模电调,无刷电机,移动电源,手机等应用,全新原装,现货供应,欢迎咨询。

SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω
SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
 
产品型号:SSM6N15FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用
 * 模拟开关应用

特点:
 * 小封装
 * 低导通电阻:Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
             : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

封装:SOT-563

品牌:TOSHIBA/东芝

通道极性:双N沟道

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):0.1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):7.8 typ.

低频跨导gFS(ms):25

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N15FE,30V,0.1A,4Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

 

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
0755-83364431

手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

邮箱:2355799104@qq.com

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

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