| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK3079A |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | VHF/甚高频 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | *（μS） | *间电容 | 13（pF） |
| 低频噪声系数 | 13.5（dB） | *大漏*电流 | 50（mA） |
| *大耗散功率 | 200（mW） |
硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用 东芝场效应晶体管型硅N沟道MOS470兆赫频带放大器应用
（注）东芝本文件中所列产品用于高频功率放大器的电信设备。不要使用这些东芝在本文件中所列的产品除外高频功率放大器的电信设备
*输出功率：宝=33.50dBmW（2.2宽）（分钟）
*增益：糖=*五○分贝（分钟）
*漏*效率：ηD=50.0％（分钟）
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