专营功率MOSFET3.2A 20V N沟道

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企业名：深圳市福田区峻能达电子商行

类型：经销商

电话： 0755-83687685

联系人：赵燕铃

地址：广东深圳华强电子世界三号楼2C030

产品分类

电源IC(21)
∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(11)∟ 其他电源IC(5)
二极管(120)
∟ 整流二极管(4)∟ 稳压二极管(30)∟ 开关二极管(35)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ 阻尼二极管(3)∟ 变容二极管(11)∟ 瞬态(变)抑制二极管(2)∟ 肖特基二极管(18)∟ 齐纳/雪崩二极管(1)∟ 红外发射二极管(1)∟ 其他二极管(4)
三极管(120)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(4)∟ 功率三极管(11)∟ 开关三极管(30)∟ 低噪声三极管(9)∟ 复合(达林顿)三极管(4)∟ 带阻三极管(42)∟ 其他三极管(5)
场效应管MOSFET(37)
∟ MOSFET(28)∟ 其他场效应管模块(1)
开关(3)
∟ 其他电子类开关(1)∟ 其他工程设备类开关(2)
传感器(14)
∟ 霍尔传感器(11)
保险丝(10)
∟ 贴片保险丝(1)∟ 自恢复保险丝(2)∟ 其它保险丝(7)
逆变器(1)
放大器(3)
电子调谐器/高频头(2)
∟ 频率合成(FS)电子调谐器(高频头)(1)∟ 其他电子调谐器(高频头)(1)
LED(16)
∟ LED器件(9)∟ LED背光源(6)∟ 其它LED相关产品（服务）(1)
IT/电子产品成套件(1)
∟ LCD液晶电视机(1)
其他未分类(29)

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商品信息

品牌:IR美国国际整流器公司型号:IRLMS1902TRPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:HEMT高电子迁移率开启电压:20（V）夹断电压:12（V）跨导:*（μS） *间电容:120（pF）低频噪声系数:*（dB） *大漏*电流:3200（mA） *大耗散功率:13（mW）

IRLMS1902 - HEXFET功率MOSFET -国际整流器

第五代的HEXFET®功率MOSFET从国际整流器公司利用*的加工技术，以实现*低的导通电阻每芯片面积。这样做的好处，结合快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，设计师提供了一个**和具有
*的装置在使用各种应用。该Micro6?封装，引线框架的定制产生的HEXFET®功率MOSFET的RDS（on）60％小于类似规模的SOT -23。这个软件包理想的印刷电路板空间的应用是溢价。它*的散热设计和RDS（上）可减少对目前处理增加近
300％相比，采用SOT- 23。

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