东光
1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
2（V）
650（V）
4000（μS）
8（pF）
企业名：周善朗
类型：经销商
电话： 0769-89001930
联系人：周善朗
地址：广东东莞东莞市凤岗天众大厦
原厂*，价格优惠，质量*！
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(*号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏*电流 | I d | 1 | A |
| 栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 40 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 3.13 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
