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IXYS/场效应管(FET)/IXFN38N100Q2

IXYS/场效应管(FET)/IXFN38N100Q2
IXYS/场效应管(FET)/IXFN38N100Q2
  • 型号/规格:

    IXFN38N100Q2

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:上海汇勤电子科技有限公司

    类型:生产企业

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    联系人:侯海群

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商品信息

IXFN38N100Q2

漏*电流(Id): 38A 漏源饱和电压(Vdss): 1000V

  • 货  号:IXFN38N100Q2
  • 品  牌:IXYS(艾赛斯)
  • 计量单位:只
  • 漏源电阻(Rds): 0.25Ω

技术规格书(PDF)

 

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