CER-DIP/陶瓷直插
SI2303DS SI2303BDS-T1-E3
ALGaAS铝镓砷
MOS-HBM/半桥组件
Vishay/威世通
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Vishay
RoHS: 否
配置: Single
晶体管*性: P-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.24 Ohms
汲*/源*击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: - 1.7 A
功率耗散: 1.25 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23 (TO-236)
封装: Reel
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 3000
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司