您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

:原装:SPW47N60C3(场效应管)现货库存

供应:原装:SPW47N60C3(场效应管)现货库存
供应:原装:SPW47N60C3(场效应管)现货库存
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    SPW47N60C3

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 电压:

    650V

  • 工作温度:

    -55°C 到 +150°C

  • 功耗:

    415W

普通会员
商品信息

SPW47N60C3

  • 场效应管MOSFET N TO-247每管30
  •  晶体管*性: N沟道
  •  电流, Id连续: 47A
  •  电压, Vds*大: 650V
  •  在电阻RDS(上): 70mohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 3V
  •  功耗, Pd: 415W
  •  工作温度范围: -55°C 150°C
  •  封装类型: TO-247
  •  针脚数: 3
  •  封装类型: TO-247
  •  总功率, Ptot: 415W
  •  晶体管数: 1
  •  温度@电流测量: 25°C
  •  满功率温度: 25°C
  •  漏*电流, Id*大值: 47A
  •  漏*连续电流, Id @ 25摄氏度: 47A
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds: 650V
  •  电压, Vds典型值: 650V
  •  电压, Vgs*高: 3V
  •  电流, Idm脉冲: 141A
  •  结温, Tj: -55°C
  •  结温, Tj*高: 150°C
  •  表面安装器件: Through Hole
  •  阈值电压, Vgs th*高: 3.9V

联系方式

企业名:深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型:

电话:

联系人:马加鹏

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9