富士
1*H60D-100
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
CHIP/小型片状
电话:86 0755 82429076
电源模块
INFINEON/英飞凌
IKW75N60T
75A
600
428W
3
电源,仪表仪器
手机:15920085281
INFINEON/英飞凌
K40T120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
硅(Si)
手机:
电源模块
TOSHIBA/东芝
GT50J301
详见规格书
详见规格书
详见规格书
详见规格书
仪器
手机:15817468549
FGL60N100BNTD
*童
无铅*型
电话:0755-61127822
手机:18926440883
1BMH60D-100
日本富士
无铅*型
电话:0755-83665594
手机:13923480882
功率
INFINEON/英飞凌
K75T60
TO-247
手机:
INFINEON/英飞凌
IKW50N60T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HI-IMP/高输入阻*
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
INFINEON/英飞凌
IKW25T120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT
GaAS-FET砷化镓
CC/恒流
igbt
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
IR/国际整流器
IRG*C20KDPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
UHF/*频
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
手机:
FAIRCHILD/*童
SGH40N60UFD
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
TR/激励、驱动
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13122912667
INFINEON/英飞凌
IKW20N60T
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
手机:
INFINEON/英飞凌
IKW25N120T2
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13738877588
FAIRCHILD/*童
FGL60N100BNTDTU
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
INFINEON/英飞凌
IKW30N60T
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
手机:
INFINEON/英飞凌
SKW30N60HS
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
手机:13714695911
INFINEON/英飞凌
IKW40N120T2
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
IXYS/艾赛斯
IXEH40N120D1
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
60(mA)
300(mW)
手机:
FAIRCHILD/*童
SGL160N60UFDTU
结型(JFET)
P沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13902969450