您好,欢迎来到捷配电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

场效应管MOS管

(共找到“98”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
1/5 跳至 下一页
  • 型号/规格:

    AO3400

  • 品牌/商标:

    DCY

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    5N60

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    SIHG20N50

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    VISHAY

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    K3667 2SK3667

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 型号/规格:

    UF740L/TO-220

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    FNK30H150

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    6004NZ

  • 品牌/商标:

    RENESAS(瑞萨)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    PE507BA

  • 品牌/商标:

    Niko-sem

  • 封装形式:

    SMD(SO)/表面封装

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    IRLR014N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    小功率

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    10N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    TN0205AD

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK3548

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    3N50

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3422L

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBE30PBF

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 李耀华

  • 企业类型:经销批发
  • 电话:86 0755 33654656

  • 功率:

    2A

  • 批号:

    +13

  • 材料:

    MES金属半导体

  • 电源电流:

    1

  • 针脚数:

    直插

  • 类型:

    电源模块

  • 封装外形:

    SOT-23

  • 型号/规格:

    AOT430

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4710

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/型号:

    友顺UTC/4N60

  • 种类:

    绝缘栅MOSFET

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    0(V)

  • 夹断电压:

    0(V)

  • 跨导:

    0(μS)

  • 林黎太

  • 企业类型:生产型
  • 电话:13806075921

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRF4905

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

场效应管MOS管行业资讯

  • 中国IC设计业高成长,三大新动向

    根据DIGITIMES Research观察,中国大陆IC设计产业在高成长后,从业者已开始构思新延伸发展,大体可归纳出三大新动向。  首先,手机相关芯片业者多持续深耕手机需求用芯片。因为手机内需要使用的芯片种类繁多,在自家的1、2款芯片获得手机厂青睐后,若能接续开发其它可用于手机内的芯片,有...

  • 展望未来,今后三年半导体分立器件保持8.3%成长率

    半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。从国内半导体分立器件产业链分布来看,下游器件封装行业厂商较多,市场集中度相对较低,产业规模发展迅速。而上游原晶片、分立...

  • 半导体三极管的主要参数

    半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子...

场效应管MOS管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

    1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购场效应管MOS管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的场效应管MOS管信息由会员自行提供,场效应管MOS管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。捷配网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买场效应管MOS管产品风险,建议您在购买场效应管MOS管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。