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场效应管MOS管

(共找到“15”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
  • 型号/规格:

    AO3400

  • 品牌/商标:

    DCY

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    5N60

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    UF740L/TO-220

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    MDF4N60

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装:

    to-220F

  • 包装:

    1000

  • 年份:

    1000

  • 品质:

    原装正品

  • 型号/规格:

    SIHG20N50

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    VISHAY

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRGP4066D-EPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    A03400

  • 品牌/商标:

    美国万代

  • 封装形式:

    \tSMD(SO)/表面封装

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    IRF540N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    FNK30H150

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    6004NZ

  • 品牌/商标:

    RENESAS(瑞萨)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    K3667 2SK3667

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    TN0205AD

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    STI美国半导体技术

  • 型号:

    场效应管

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 型号/规格:

    CS640A8H

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

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场效应管MOS管技术资料

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