2A
+13
M*金属半导体
1
直插
电源模块
SOT-23
AOT430
手机:13763237688
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
结型(JFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:13712812287
IR/国际整流器
IRFE 75N08
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0769 87864412
IR/国际整流器
IRF830
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0769-85357955
HARRIS/INFINEON
20N60 TO-263/262
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0769-85357572
*童/IR/ST/TI
IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25
*缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0769-85160256
IR/FAI/ST/TI
IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0769-85378680
P-DIT/塑料双列直插
2SK3435
M*金属半导体
MOS-FBM/全桥组件
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0769-85357955
1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...