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场效应管MOS管

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    深圳市吉东电子是一家从事二*管三*管 光耦 电阻 电容 场效应钽电容 电解电容 电感 磁珠等系列产品的电子元器件商行.本商行只经销原装*产品,高质量的产品,*了广大客户的信赖与支持. 大量原装现货,为客户提供了稳定的...

    • 陈曼阳

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-61518618

    • 品牌:

      CET台湾华瑞

    • 型号:

      CEP75N06

    品牌/商标 CET台湾华瑞 型号/规格 CEP75N06 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 LMP-C/阻*变换 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 60(V) 夹断电压 X(V) 低频跨导 X(&...

      品牌:AO 型号:AO4815 批号:2010+ 封装:SOP-8 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成

      • 品牌/商标:

        Alpha/阿尔法

      • 型号/规格:

        优势供应场效应管MOS管AO3422

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        耗尽型

      • 李迎冬

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-82704169

      • 品牌/商标:

        NCE

      • 型号/规格:

        NCE60H15

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        MOS-FBM/全桥组件

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        BGS

      • 型号/规格:

        BF740

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        V-FET/V型槽MOS

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        HARRIS/INFINEON

      • 型号/规格:

        20N60 TO-263/262

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 品牌/商标:

        FAIRCHILD/*童

      • 型号/规格:

        TIP41*U_F129

      • 控制方式:

        双向

      • *数:

        可控硅

      • 封装材料:

        TO-220F

      • 封装:

        TO-220

      • 类型:

        其他IC

      • 批号:

        *批号

      • 品牌/商标:

        IR/国际整流器

      • 型号/规格:

        IRFBG20

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 开启电压:

        /(V)

      • 夹断电压:

        /(V)

      • 跨导:

        /(μS)

      • 品牌/商标:

        FAIRCHILD/*童

      • 型号/规格:

        FQPF7N65C

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 李耀华

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-36872662

        品牌:AOS(美国万代) 型号:AO3400 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:12(V) 夹断电压:30(V) *间电容:77(pF) 漏*电...

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 型号/规格:

          AO4422

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 品牌/商标:

          AOS/美国万代

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 导电方式:

          耗尽型

          品牌:AOS 型号:AO3409/A9N 批号:2010 封装:SOT-23“重质量,守信誉”是本公司一贯的原则,因此博得广大新老客户的大力支持和信赖。真芯服务,**! 公司信奉:企业形象重于企业利益,以诚信*...

          • 林裕忠

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:广东深圳
          • 电话:0755-83030613

            供应比亚迪电源管理IC及MOS管,产品包括:BYD电源MOS管,充电器IC,LED电源IC,BYD开关电源MOS,手机充电器IC。产品规格包括:BF1501-LA,BF91N60R,BF91N60,BF92N60,BF94N60,BF94N60,BF96N60,BF98N60,BF910N6...

            • 品牌/商标:

              *童/IR/ST/TI

            • 型号/规格:

              IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25

            • 种类:

              *缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型:

              P沟道

            • 导电方式:

              耗尽型

            • 用途:

              A/宽频带放大

            • 封装外形:

              CHIP/小型片状

            • 材料:

              ALGaAS铝镓砷

            • 功率:

              1

            • 类型:

              其他IC

            • 型号/规格:

              IRF740

            • 批号:

              12

            • 用途:

              仪器

            • 品牌/商标:

              FSC/*童

            • 封装:

              TO-220

              品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF630N 应用范围 功率 材料 硅(Si) *性 NPN型 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装

              • 邓程宝

              • 供应商等级: 免费会员
              • 企业类型:经销商
              • 地区:广东深圳
              • 电话:0755-82797199

              • 是否提供加工定制:

              • 品牌/商标:

                AOS/美国万代

              • 型号/规格:

                AOD412

              • 应用范围:

                达林顿

              • 材料:

                硅(Si)

              • *性:

                NPN型

              • 集电*允许电流ICM:

                10(A)

              • 集电*耗散功率PCM:

                300(W)

              • 封装外形:

                SMD(SO)/表面封装

              • 型号/规格:

                AO4425

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              • 用途:

                V-FET/V型槽MOS

              • 品牌/商标:

                AOS/美国万代

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 导电方式:

                增强型

              • 品牌:

                比亚迪(BYD)

              • 型号:

                BF96N60

              品牌/商标 比亚迪(BYD) 型号/规格 BF96N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&...

              场效应管MOS管技术资料

              • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

                1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应...

              电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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