5N60
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
电话:0755-83146685
手机:18098941363
UF740L/TO-220
UTC
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
电话:0512-65874200-206
手机:18717750585
VS3618AE
威兆
CER-DIP/陶瓷直插
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
电话:17301628859
手机:17301628859
PE507BA
Niko-sem
SMD(SO)/表面封装
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
电话:0755-86655416
手机:13418476776
Vishay/威世通
TN0205AD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 88609098
PJ/普罗强生
10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
FUJI/富士通
2SK3548
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 83512652
PJ/普罗强生
3N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
AOS/美国万代
AO3422L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 82539678
手机:13823592335
IR/国际整流器
IRFBE30PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
电话:86 0755 33654656
2A
+13
M*金属半导体
1
直插
电源模块
SOT-23
AOT430
手机:13763237688
AOS/美国万代
AO4710
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15817468549
友顺UTC/4N60
*缘栅MOSFET
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
0(V)
0(V)
0(μS)
电话:13806075921
SMD(SO)/表面封装
IRF4905
N-FET硅N沟道
MOS-FBM/全桥组件
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:13418503300
RTR025N03TL
SMD(SO)/表面封装
ROHM/罗姆
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
耗尽型
原装
手机:13713859204
Alpha/阿尔法
优势供应场效应管MOS管AO3415AL
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
手机:
LLCC/无引线陶瓷片载
075N15N
GE-N-FET锗N沟道
L/功率放大
FH/风华
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13510965256
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
结型(JFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:13712812287
ST/意法
75N75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:13346991699
1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...