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IGBT单管

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源头工厂
  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IGBT

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途:

    CC/恒流

  • 品牌/商标:

    igbt

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IKW30N60T

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格:

    IXEH40N120D1

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 漏*电流:

    60(mA)

  • 耗散功率:

    300(mW)

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE20G120T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 加工定制:

  • 种类:

    元素半导体

  • 特性:

    IGBT单管

  • 用途:

    加热设备

  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号:

    FZ400R12KS4

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VHF/甚高频

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 产品类型:

    开关管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    *童

  • 材料:

    IGBT

  • 封装:

    0

  • 工作温度范围:

    0(℃)

  • 功耗:

    0

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