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富士场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    2SK3532-01MR

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌:

    FUJI/富士通

  • 型号:

    2SK2645

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK1020

  • 封装:

    TO-3PL

  • 批号:

    11+

  • 型号/规格:

    2SK1020

  • 品牌/商标:

    富士

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3675

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    FMV11N60E 11N60E

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SC2625

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 陈徐东

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:15322589370

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK2850

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌/商标 富士 型号/规格 2SK3469-01MR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 500(V)

    • 品牌/商标:

      进口

    • 型号/规格:

      2SK2257

    • 介质材料:

      铝电解

    • 应用范围:

      晶体管电路

    • 外形:

      方块状

    • 等效串联电阻(ESR):

      0(mΩ)

    • 标称容量:

      0(uF)

    • 损耗:

      0

    • 型号/规格:

      2SK2651-01MR

    • 品牌/商标:

      FUJI

    • 封装形式:

      塑料封装

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      直插

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