通信IC
FRE*CALE/飞思卡尔
MW6S010
0.1
0.1
0.1
仪器
TO-270
手机:
微波
*芯片
2N1818
硅(Si)
功率型
300
30
1
手机:13670546826
FAIRCHILD/*童
FQPF8N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
其他IC
IR
IRF9640STRLPBF
12
仪器
TO263
2013
手机:15817468549
IR
硅Si
公司主要经营产品:开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小*率管等系列贴片二、三*管、钽电容、电容、电阻、电感、...
电话:13632972449
P-DIT/塑料双列直插
IRF1104L TO-262
N-FET硅N沟道
UNI/一般用途
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
P-DIT/塑料双列直插
SI2301
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
博明
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
FAIRCHILD/*童
12N60 FQP12N60C FQP12N60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
DIFF/差分放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
TO-220-3 整包
FQPF10N60C
N-FET硅N沟道
L/功率放大
FAIRCHILD/*童
MOSFET N 通道,金属氧化物
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
IR/国际整流器
IRF9640PBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
K2865
结型(JFET)
P沟道
增强型
O/振荡
汕头科通电子
TO-252
手机:13016661061
是
IR/国际整流器
IRFB38N20DPBF
功率
硅(Si)
NPN型
200(V)
38(A)
手机:
IR/国际整流器
IRFP240/IRFP9240
结型(JFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
FUJI/富士通
1*H60D-100,1*H60-100
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
台湾UTC
UTC2N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRF740
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
FAIRCHILD/*童
FGA25N120*童
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
Alpha/阿尔法
AOD413
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:13760337659
IR/国际整流器
IRFP250N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
CHIP/小型片状
SENSEFET电流敏感
手机:
TOSHIBA/东芝
k2847
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
LLCC/无引线陶瓷片载
SIT静电感应
手机:
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHzto18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
型号PTOT(W)ID(A)Rom(Ω)Vds(V)SGSP57915050.7500SGSP57515060.6400TM7N4515071.5450TM5N6015052.5600TM45N15250450.1150TM45N20250450.
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数