SD20N60,24N60C3,35N60C3
英飞菱
金属封装
普通型
直插
大功率
散装
电话:0754-82330350
手机:13433313520
IRF540N
IR
P-DIT
无铅*型
IR/国际整流器
盒带编带包装
大功率
电话:0755-26441258
IR/国际整流器
IRFZ44N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
55(V)
49000(mA)
电话:0755-82725721
手机:13823700718
ST2301
STANSON
塑料封装
普通型
贴片
小功率
盒带编带包装
电话:0755-83551150
手机:13824384710
MCH3405-TL-E
SANYO
塑料封装
无铅*型
贴片
盒带编带包装
电话:755-23956113
手机:13510199112
UD4614L-SO8-R
UTC
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-82819399
手机:13530050576
NP
FCH47N60NF
TO-247
3993
标准
标准
标准
标准
电话:0755-82522345
手机:13723723265
RU190N08Q
HY
TO-3P
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
电话:0755-83241747
手机:13725525396
IRFP460/TO-247
HY
塑料封装
无铅环保型
直插式
散装
大功率
高频
电话:0559-6695112
手机:15675591388
40N60
kevin
无铅环保型
40A
600V
电话:0510-88150510
手机:13338119997
JK9610A
金科
功率场效应管测试仪 深圳功率场效应管测试仪 上海功率场效应管测试仪 常州功率场效应管测试仪 功率场效应管测试仪价格 功率场效应管测试仪销售 功率场效应管测试仪参数 功率场效应管测试仪报价 一、概述 JK9610A型功...
电话:0519-85396285
手机:13912349558
4.4A 600V
P-DIT/塑料双列直插
FTA4N60C
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
TRA美国晶体管
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
电话:0571-85317500
IXYS/艾赛斯
IXFH26N60Q
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
N-FET硅N沟道
26A
电话:86 755 82715123
手机:13380356111
IR/国际整流器
IRFBC30PBF
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
其他IC
电话:86 0755 83013275
功率
Hitachi/日立
K1414
硅(Si)
TO-*L
电话:86 0755 82532977
振荡
IXYS/艾赛斯
18
硅(Si)
TO-*L
电话:86 0755 82532977
驱动IC
FORTUNE/台湾富晶
FS8205
MSOP8/SOT23
2013+
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IR/国际整流器
IRF7853
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
电话:0755-89378976
手机:18926047716
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHzto18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
型号PTOT(W)ID(A)Rom(Ω)Vds(V)SGSP57915050.7500SGSP57515060.6400TM7N4515071.5450TM5N6015052.5600TM45N15250450.1150TM45N20250450.
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数