TOSHIBA/东芝
K2698
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
/(V)
/(V)
/(μS)
手机:
IXY美国电报半导体
IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
CER-DIP/陶瓷直插
FQPF4N60C 4N60
N-FET硅N沟道
D-G双栅四*
FAIRCHILD/*童
P沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
P-DIT/塑料双列直插
K60-02A、K1120 、K1487
N-FET硅N沟道
L/功率放大
拆机
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13536862667
FUJI/富士通
GT50J301
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CC/恒流
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
手机:
SMD(SO)/表面封装
IRFB260N
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:15626790473
SYNCPOWER
SPN2304 SPP2305 SPN2308
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRF740
结型(JFET)
P沟道
增强型
AM/调幅
LLCC/无引线陶瓷片载
GE-N-FET锗N沟道
手机:13510517308
CER-DIP/陶瓷直插
IRF640N
IGBT*缘栅比*
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
TOSHIBA/东芝
K2837
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
1
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
2SK3568
P-DIT/塑料双列直插
TOSHIBA/东芝
MOS-HBM/半桥组件
MOSFET N 通道,金属氧化物、MOSFET N 通道,金属氧化物
手机:13669874411
SMD(SO)/表面封装
K794 2SK794
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
【名称】功率场效应管【品牌】IR【型号】IRF440【*】无铅*【封装】TO-3【*性】N-沟道【电压】500V【功率】125W【电流】8.0A【内阻】0.85Ω【配对】IRF9440 【描述】原装"
手机:
n(mA)
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
n(mW)
n(μS)
IXGH20N120BD1
CER-DIP/陶瓷直插
n(V)
手机:
P-DIT/塑料双列直插
5N60
N-FET硅N沟道
MOS-INM/*组件
韩国索森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
P-DIT/塑料双列直插
630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
CANCA
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:
功率
INFINEON/英飞凌
47N60C3
直插型
硅(Si)
1
1
1
手机:13417146475
TO-*
FDA18N50 *2 18N50
硅(Si)
FAIRCHILD/*童
放大
手机:15626790473
IXYS/艾赛斯
IXFH44N50P
其他
硅(Si)
20
直插型
44
NPN型
手机:
IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
ALGaAS铝镓砷
手机:13871050908
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHzto18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
型号PTOT(W)ID(A)Rom(Ω)Vds(V)SGSP57915050.7500SGSP57515060.6400TM7N4515071.5450TM5N6015052.5600TM45N15250450.1150TM45N20250450.
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数