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功率场效应管

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2698

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

  • 品牌:

    IXY美国电报半导体

  • 型号:

    IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FQPF4N60C 4N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    D-G双栅四*

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    K60-02A、K1120 、K1487

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    拆机

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    GT50J301

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRFB260N

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    SYNCPOWER

  • 型号/规格:

    SPN2304 SPP2305 SPN2308

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF740

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF640N

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 漏*电流:

    1

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    2SK3568

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物、MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    K794 2SK794

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

    【名称】功率场效应管【品牌】IR【型号】IRF440【*】无铅*【封装】TO-3【*性】N-沟道【电压】500V【功率】125W【电流】8.0A【内阻】0.85Ω【配对】IRF9440 【描述】原装"

    • 漏*电流:

      n(mA)

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 耗散功率:

      n(mW)

    • 跨导:

      n(μS)

    • 型号/规格:

      IXGH20N120BD1

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 开启电压:

      n(V)

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      5N60

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      MOS-INM/*组件

    • 品牌/商标:

      韩国索森美

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 品牌/商标:

      CANCA

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 应用范围:

      功率

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格:

      47N60C3

    • 封装形式:

      直插型

    • 材料:

      硅(Si)

    • 集电*允许电流ICM:

      1

    • 截止频率fT:

      1

    • 集电*耗散功率PCM:

      1

    • 封装形式:

      TO-*

    • 型号/规格:

      FDA18N50 *2 18N50

    • 材料:

      硅(Si)

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 应用范围:

      放大

    • 品牌/商标:

      IXYS/艾赛斯

    • 型号/规格:

      IXFH44N50P

    • 沟道类型:

      其他

    • 材料:

      硅(Si)

    • 集电*耗散功率PCM:

      20

    • 封装形式:

      直插型

    • 集电*允许电流ICM:

      44

    • *性:

      NPN型

    • 林锦基

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 手机:

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP150N

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      AM/调幅

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    功率场效应管行业资讯

    什么是功率场效应管?

    •   功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,具有自关断能力,驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
    • 功率场效应管

    功率场效应管技术资料

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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