Mitsubishi/三菱
场效应IGBT模块
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13715277277
FAIRCHILD/*童
SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13714695911
*
44N50
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRG4PC50UD
TO-247
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
600(V)
55(mA)
手机:
IR/国际整流器
IRG4PF50WD
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
手机:
FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTDTU
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
电话:0755-84165080
品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:11(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:11(mW)热卖!
电话:0755-83228665
电话:0755-82532130
电话:0755-83041548
电话:020-83357801
品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:原...
电话:0755-83763148
品牌:*童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 低频跨导:...
电话:0755-83013722
品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 材料:N-FET硅N沟道本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量*,货源充足,供应电子元气件应用范围:电磁炉、变频器、逆...
电话:0754-84485397
品牌/商标 ADI 型号/规格 AD7705BNZ 批号 0945+ 封装 DIP-16 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 类型 驱动IC
电话:755-83013455
电话:010-52084561
品牌:英飞凌 型号:H25R1202 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:·(V) 夹断电压:·(V) 低频跨导:&mid...
电话:0755-61306757
品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢
电话:020-83302113
品牌:*童 型号:HGTG11N120CND 批号:10+ 封装:TO* 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成HGTG11N120CND *童 TO*封装 原装现货供应深圳市伟隆达电子是一家以代理经销世界各知名品牌集成电路为,集产品销售、方...
电话:0755-28195839
品牌:FAIRCHILD飞兆 型号:SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源类,电焊机设备 夹断电压:600(V)亿隆半导体有限公司是一家...
电话:755-82539765
FAIRCHILD飞兆
SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电源类,电焊机设备
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 755 82539765
手机:13714695911