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东芝场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 品牌/商标:

    TOS东芝

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    TK12A65D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3767

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4026

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TPC8062-H

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3475

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VHF/甚高频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2782 2SK2782

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    K3878

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    MW/微波

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K851

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2057,2SK2057

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    TK13A65U K13A65U

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3878

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    D(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    D(A)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2611

  • 沟道类型:

    其他

  • 材料:

    硅(Si)

  • 集电*耗散功率PCM:

    8

  • 封装形式:

    直插型

  • 集电*允许电流ICM:

    9

  • *性:

    NPN型

  • 林锦基

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K4107

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 蔡少东

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84496208

    手机:13502790266

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK1489

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    500(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    20(A)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4108 K4108

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 彭志毫

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 82719303

    手机:13760241411

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 *R2545*G 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 跨导 0(μS) *间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(d...

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格:

      K30A-GR

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

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