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大功率场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    SD20N60,24N60C3,35N60C3

  • 品牌/商标:

    英飞菱

  • 封装形式:

    金属封装

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插

  • 功率特征:

    大功率

  • 包装方式:

    散装

  • 雄杰电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-82330350

    手机:13433313520

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2865

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    O/振荡

  • 发货单位:

    汕头科通电子

  • 封装:

    TO-252

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    k2847

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2698

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

  • 品牌:

    IXY美国电报半导体

  • 型号:

    IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    K60-02A、K1120 、K1487

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    拆机

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRFB260N

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    K794 2SK794

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 漏*电流:

    n(mA)

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 耗散功率:

    n(mW)

  • 跨导:

    n(μS)

  • 型号/规格:

    IXGH20N120BD1

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 开启电压:

    n(V)

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    47N60C3

  • 封装形式:

    直插型

  • 材料:

    硅(Si)

  • 集电*允许电流ICM:

    1

  • 截止频率fT:

    1

  • 集电*耗散功率PCM:

    1

  • 封装形式:

    TO-*

  • 型号/规格:

    FDA18N50 *2 18N50

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 应用范围:

    放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    W8*100、W15NA50、W15*50

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    拆机

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K794 2SK794

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FDP047AN08A0

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 苏春湖(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84483628

    手机:13322722404

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    TSC/台半

  • 型号/规格:

    GT60N321 大功率场效应管 电磁炉功率管

  • 应用范围:

    振荡

  • 陈丽燕

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-86679997

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2sc2625/C2625

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 集电*允许电流ICM:

    10(A)

  • 集电*耗散功率PCM:

    80(W)

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    K785,2SK785

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

大功率场效应管技术资料

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