微波
*芯片
2N1818
硅(Si)
功率型
300
30
1
手机:13670546826
FUJI/富士通
1*H60D-100,1*H60-100
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
FAIRCHILD/*童
FGA25N120*童
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数