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大功率场效应管

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【2N1818】**芯片【2N1818】大功率场效应管
【2N1818】**芯片【2N1818】大功率场效应管
  • 应用范围：

    微波

  • 品牌/商标：

    *芯片

  • 型号/规格：

    2N1818

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    功率型

  • 集电*耗散功率PCM：

    300

  • 集电*允许电流ICM：

    30

  • 截止频率fT：

    1

长期大功率场效应管1*H60D-100，1*H60D-90
长期大功率场效应管1*H60D-100，1*H60D-90
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    1*H60D-100，1*H60-100

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

FGA25N120*童大功率场效应管【拆机电磁炉管】
FGA25N120*童大功率场效应管【拆机电磁炉管】
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120*童

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

贴片场效应管AOD413万代 大功率场效应管
贴片场效应管AOD413万代 大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格：

    AOD413

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

批发 大功率场效应管 2SK3568 场效应管
批发 大功率场效应管 2SK3568 场效应管
  • 漏*电流：

    1

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 型号/规格：

    2SK3568

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物、MOSFET N 通道，金属氧化物

大功率场效应管、MOS管、N-MOSFET管生产商
大功率场效应管、MOS管、N-MOSFET管生产商
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    CANCA

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

【优势】*原装*童大功率场效应管FQP10N60C
【优势】*原装*童大功率场效应管FQP10N60C
  • 批号：

    年份

  • 材料：

    M*金属半导体

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型：

    其他IC

  • 型号/规格：

    FQP10N60CF

  • 品牌/商标：

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 沟道类型：

    N沟道

大功率场效应管技术资料

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