CER-DIP/陶瓷直插
K2843
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:
FAIRCHILD/*童
FQP12N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRF540N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 0754 84483628
手机:13322722404
IR/国际整流器
IRFBG20
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
/(V)
/(V)
/(μS)
电话:754-84497561
1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...