2022年5月17日至19日，第十届中国电子信息博览会将在深圳会展中心举办。展会提供了全方位的展览展示平台，包含了电子信息产业zui新技术、产品和服务，提供了全产业链前沿资讯、发展趋势、潜在商机，协助各大企业、行业平台品牌进行推广，尽在CITE 2022。 ...
据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元，比2009年的16亿美
据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元，比2009年的16亿美
威世（VishayIntertechnology,Inc.）近日宣布推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET---SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-24
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体(NYSE:FCS)开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，用D S间断开的线段表示Vcs=0时...
耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off) 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算： 开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_...
