Mitsubishi/三菱
RD16HHF1 RD16HHF1-101
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
手机:
FS8205A
P-DIT/塑料双列直插
FORTUNE/台湾富晶
MOS-FBM/全桥组件
M*金属半导体
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13827278058
HX
HX10N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
4(V)
手机:
Vishay/威世通
SI2305DS-T1
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:13632972449
CER-DIP/陶瓷直插
IRF730PBF
GE-P-FET锗P沟道
S/开关
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
ROHM/罗姆
RTQ035P02TR
结型(JFET)
P沟道
增强型
TR/激励、驱动
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:13926515844
IR/国际整流器
IRF540NPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
100(V)
0(V)
手机:
FAIRCHILD/*童
FDD5614P FDD5612
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:13632946618
IR/国际整流器
IRFP260NPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
韩国美格纳
MDF7N60,7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:15322589370
P-DIT/塑料双列直插
630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
CANCA
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:
IR/国际整流器
2N60,IRF2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
CER-DIP/陶瓷直插
HEMT高电子迁移率
手机:
是
FAIRCHILD/*童
FQP50N06
放大
硅(Si)
NPN型
50(V)
60(A)
手机:
FAIRCHILD/*童
FDP150N10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
NXP CJ ON
2N7000 2N7002 SOT23
开关
硅(Si)
点接触型
SOT-23
塑料封装
手机:18682206308
是
肖特基管
是
FSC/TOS
4N25
磷化镓(GaP)
单路-N通道 250V 44A
原装
手机:13926515844
IR/国际整流器
IRFZ44NPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
55(V)
手机:
HX
HX12N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
4(V)
电话:86 755 28412985
FAIRCHILD/*童
FCP20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
LLCC/无引线陶瓷片载
IGBT*缘栅比*
电话:86 0755 83776050
SMD(SO)/表面封装
FDD8444L
MES金属半导体
MOS-HBM/半桥组件
FAIRCHILD/仙童
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0755-88600801
手机:18038114430
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控...
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻的DPAK...
意法半导体的900VMDmesh™K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有
意法半导体的900VMDmeshK5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 一、什么...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增...
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电,也就是说绕组有时需正向电流,有时需反向电流,这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 电路原理 给出...