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FSC*童
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*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHOP/斩波、限幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
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品牌/商标 IR 型号/规格 IRF540N 封装形式 D2-PAK 种类 MOSFET 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 开启电压 Vds:100V(V) 夹断电压 Vds :100V(V) 营销方式 现货
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品牌:TOS日本东芝 型号:TK10A60D 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型部件型号TK10A60D *性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)25 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10...
电话:21-55153205
品牌:ON 型号:NTR0202 批号:06 封装:SOT23 营销方式:现货供应MOSFET管NTR0202PLT1GV(BR)DSSmin20VVGS= 0V, ID= 0.01mAVGSmax20VrDS(on)max800mΩVGS= 10V, ID= 0.2AQgtyp2.18nCVGS=-10V, VDS=-15V, ID=...
电话:021-53083155
品牌:IR国际整流器 型号:IRFZ34N,IRF830,IRF730,IRF740,IRF840 控制方式:双向 *数:三* 封装材料:金属封装 封装外形:平板形 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:高频我司長期代理銷售各...
电话:021-33737600
SE4946
SI*-IC
SP/*外形
无铅*型
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大功率
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SI*-IC
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增强型
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SP/*外形
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意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控...
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻的DPAK...
意法半导体的900VMDmesh™K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有
意法半导体的900VMDmeshK5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 一、什么...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增...
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电,也就是说绕组有时需正向电流,有时需反向电流,这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 电路原理 给出...