品牌:TOS日本东芝 型号:TK10A60D 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
| 部件型号 | TK10A60D | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.75 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) |
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