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FUJITSU(富士通)
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FM24C16B-GTR
Ramtron
FM24C16B 概述 FM24C16B是采用先进的铁电工艺制造的16K位非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性,并且可以象RAM一样快速读写。FM24C16B中的数据在掉电后可以保存38年。相对EEPROM或其他非易失性存储器...
电话:13686868407
手机:13686868407
*5C160B-GTR
RAMTRON
*原厂原装无铅现货,11+,2500/盘 The *5C160B-GTR is a 16-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is nonvolatile but operates...
电话:0755-82862090
手机:13826592928
本公司优势特价产品IC:LTC4054PT4115AT24C64AT24C32PC817MB6S 74HC595 AT24C08 DW01AT24C02 mc34063 L7805 AT24C1624C02LM258MAXA LM2588205 我公司同时承接客户需要各类IC的研发与设计可按照丝印定 深圳市宏信科达...
电话:0755-83285561
手机:13352988591
其他IC
RAMTRON/铁电
FM3130-GTR
2011+
SOIC-18
手机:
存储器
RAMTRON/铁电
*4CL04-G
SOP8
2012
手机:15817468549
存储器
存储器
10万
FM3125
11+
仪器
RAMTRON/铁电
14
手机:
是否提供加工定制 否 品牌/商标 RAMTRON(铁电) 型号/规格 *5L0*-GTR 封装 2011+ 批号 SOIC-8/DFN-8 类型 存储器 我公司主要经营/生产CX1117.CX9162B,TDA2030A,LM2576T/S,1N4007及复旦微*4C系列、铁电存储器系列*产...
电话:755-83155450
近日,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展,提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2(HZO)材料的铁电二极管(Fe-diode),并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点,是下一代非...
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RAMTRON宣布德国嵌入式软件和硬件供应商Fimicro已在Active104新系列单板计算机以及智能I/O扩展模块中采用非易失性铁电存储器。FimicroO已将RAMTRON
RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa8501产品中,以进行快速可靠的非易
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-R
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ramtron将F-