全新进口 06N03L 英飞凌 TO-263贴片场效应管/现货实图
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0754-86678809
手机:13353083767
SMD(SO)/表面封装
FDD6030L
N-FET硅N沟道
S/开关
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:18029567921
AOS/美国万代
AOD454
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15817922869
IR/国际整流器
IRF3205S
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
FDD8880
结型(JFET)
N沟道
增强型
/(V)
/(V)
/(μS)
手机:
CEN美国*半导体
CER6030L
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15816710626
*童、CET
CEB6030L,CEB6030
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:
INFINEON/英飞凌
07N60C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
N-FET硅N沟道
电话:86 0754 84472126
手机:13202136378
FAIRCHILD/*童
FDD6680,FDD6680A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
/
/
电话:754-84497561
AOS
AO3415
品牌/商标 AOS 型号/规格 AO3415 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 15(V) 夹断电压 15(V) 跨导 15(μS) *间...
电话:0754-84482706
近日,Hittite全新推出一款低噪声可编程分频器HMC794LP3E。该产品采用QFNSMT封装,非常紧凑的封装在一个3*3mm芯片中,这种设计使得该产品即使在功率敏感应用中仍有很好的相噪性能。HMC794LP3E可处理0.2-2GHz的输入信号
模拟、高带宽通信及以太网集成电路(IC)解决方案的业界领导商麦瑞半导体公司近日在产品系列中增加了4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/
麦瑞半导体公司(Micrel)增加4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/231是3.2HzLVPECL/LVDS分频器。目标应用包括预
Micrel公司日前在其时钟分频器系列的基础上增加了四款新的三倍和五倍时钟分频器。SY89228/229为1GHzLVPECL/LVDS分频器,具有故障安全输入(FSI)电路,SY89230/231则为3.2GHzLVPECL/LVDS分频器。目标
摘要:介绍了一种基于FPGA的双模前置小数分频器的分频原理及电路设计,并用VerilogHDL编程,在ModelSimSE平台下实现分频器的仿真,并用Xilinx公司的芯片Spartan3来实现。关键词:小数分频器;频率合成;FPGA;Verilo