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Infineon - 英飞凌与Framework携手推出具有先进USB-C连接功能的可轻松升级、定制和维修的笔记本电脑

电子垃圾和很容易被淘汰的笔记本电脑一体机等问题逐渐引起了许多消费者的关注和担忧,这些消费者希望有更加绿色环保的科技产品供其选择。为此,Framework Computer与英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)合作,在近期...

时间:2024/4/26 阅读:4 关键词:电子

Mouser - 贸泽电子上架ams OSRAM新品 为创意设计提供新选择

提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 是知名传感、照明和可视化解决方案供应商ams OSRAM的全球授权代理商。贸泽与ams OSRAM的合作为客户开发汽车、工业和医疗应用提供了大力支持...

时间:2024/4/16 阅读:14 关键词:电子

传美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%

根据外媒报道,美光计划Q2季度针对DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%,价格谈判还在进行中。  美光将在这次得调价背景,一方面将是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升...

分类:业界动态 时间:2024/4/10 阅读:141 关键词:DRAM 内存

Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线

为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4 Mb,并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口...

分类:新品快报 时间:2024/4/1 阅读:270 关键词: SRAM产品

DRAM再次盈利,NAND也苦尽甘来了

Yole在其发布的最新报告中宣布,到 2023 年底,DRAM 行业将处于 2016 年以来的最低水平。  然而,在定价环境改善的情况下,DRAM 行业的运营亏损在 2023 年第 4 季度显著...

分类:行业趋势 时间:2024/3/29 阅读:1239 关键词:DRAM

HBM 今年将占 DRAM 行业的 14%

TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示,到 2024 年底,DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV,预计年度供应位增长约为 260%。  HBM 在 DRAM 行...

分类:行业趋势 时间:2024/3/20 阅读:880 关键词:HBM

DRAM终于复苏?三星传来好消息

市场研究机构 Omdia 报告称,三星的 DRAM 业务终于开始出现正增长,该公司正在走向复苏。  在人工智能行业的巨大兴趣下,三星希望通过其 DRAM 部门专注于 HBM 市场。 ...

分类:业界动态 时间:2024/3/19 阅读:442 关键词:DRAM

DRAM产业营收,季增近3成

据集邦科技(TrendForce)研究显示,受惠于备货动能回温,以及三大原厂控产效益显现,主流产品的合约价格走扬,带动去(2023)年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元,季增29....

分类:业界动态 时间:2024/3/11 阅读:268 关键词:DRAM

全球DRAM营收环比增长29.6%;三星电子领先

上季度,全球半导体行业DRAM营收环比增长近30%。据台湾市场研究公司TrendForce 3月5日统计,第四季度全球DRAM营收达174.6亿美元,环比增长29.6%。TrendForce将这一增长归因...

分类:业界动态 时间:2024/3/7 阅读:342 关键词:DRAM

韩国芯片双雄,力保DRAM

继去年内存半导体低迷之后,三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术,积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的,因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下,高带宽...

分类:业界动态 时间:2024/3/5 阅读:495 关键词:DRAM

RAM技术

ram与rom的主要区分

RAM(Random Access Memory)和ROM(Read-Only Memory)是两种不同类型的计算机存储器,它们在多个方面存在显著的差异:  可写性:RAM是可读可写的存储器,这意味着我们可以向RAM中写入数据,也可以从RAM中读取数据。而ROM则是只读存储...

基础电子 时间:2024/4/12 阅读:279

MCU 测试芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存储器

具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片(采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造)声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB...

设计应用 时间:2024/2/28 阅读:346

什么是DRAM?DRAM存储单元原理

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种内存芯片,用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器,意味着当断电时,其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在,用于暂时存储处理器需要的...

基础电子 时间:2024/2/26 阅读:218

SRAM的结构和工作原理

SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路(也称输入/输出电路)三部分组成,如图7.3.1所示。  存储矩阵由许多存储单元排列而成,每个存储单元能存储1 位二值数据(1或0),在译码器和读/写电路的控制下,既可以写入1 或0,又可...

基础电子 时间:2024/2/20 阅读:183

使用只读内存释放 RAM

什么是只读存储器?(又名代码存储器、又名程序存储器)  微控制器存储器分为与电气特性(例如,易失性与非易失性)和架构因素相对应的类别,例如 8051 内部数据存储器和“外部”数据存储器之间的区别(外部 RAM 可以包含在-芯片)。例...

基础电子 时间:2023/12/19 阅读:392

DRAM(动态随机存取存储器)简介

什么是 DRAM?  内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时,可以运行指令集(程序)并存储工作数据。随机存取存储器(RAM)是一种众所周知的存储器类型,之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。...

基础电子 时间:2023/12/7 阅读:589

使用监控电路将传统 SRAM 转变为快速非易失性存储器

所有存储器类型都可以分为易失性或非易失性。当设备断电时,易失性存储器会丢失其内容,而非易失性存储器即使在断电时也能保留存储的信息。  随机存取存储器 (RAM) 系列...

设计应用 时间:2023/11/3 阅读:1215

具有信号量仲裁功能的双端口 SRAM

由于其高带宽和消息访问灵活性,双端口 SRAM 用于链接多个高性能处理器和系统。IDT 生产多种配置的双端口 SRAM,所有配置均由一个带有两组地址、数据和控制信号的 SRAM 组...

设计应用 时间:2023/10/13 阅读:282

51单片机RAM 数据存储区、位寻址区、数据缓冲区

1. keil C语言编程RAM是程序运行中存放随机变量的数据空间。在keil中编写程序,如果当前模式为small模式,如果总的变量大小未超过128B,则未初始化的变量的初值默认为0.如果所有的变量超过单片机small模式下的128B大小,则必须对变量进行...

设计应用 时间:2023/5/31 阅读:777

Rambus - MIPI提高新一代图像数据的传输性能

随着全球汽车市场的快速发展,我们可以看到技术在多个维度上的快速迭代和演化,例如智能网联汽车和自动驾驶辅助系统(ADAS)的进步。智能化、互联化趋势给汽车系统内日益复杂的传感器与图像传输的协作带来了新的挑战。 为了应对这一挑...

新品速递 时间:2023/5/4 阅读:1671

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