继去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的，因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下，高带宽内存 (HBM) 和双倍数据速率 5 (DDR5) 的订单预计会增加。
然而，NAND闪存的前景仍与去年的紧缩立场相似，主要是因为在实际需求复苏仍然不温不火的情况下，大部分投资都流向了先进的DRAM。三星电子去年继续进行大量资本投资，似乎利用竞争对手的有限投资作为增强其在先进加工领域竞争优势的机会。
考虑到近期 DRAM 价格的反弹，三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其工厂的半导体晶圆投入。这是为了加快向 10 纳米 (nm) 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 版本的过渡，以生产 HBM、DDR5 和低功耗 (LP) DDR5 等高价值产品。不过，由于半导体行业持续削减DDR4库存，并将投资集中在供应增长缓慢的更精细工艺上，预计今年整体DRAM供应增量有限。
三星电子计划今年在平泽第三工厂 (P3) 全面运营的推动下大幅增加 DRAM 晶圆投入。随着去年下半年开始以传统 DRAM 为中心的大幅生产调整，预计到今年年底开工率将逐渐正常化。
SK 海力士主要致力于扩大其位于韩国的 M16 和 M14 工厂的先进工艺产量。继去年10月美国半导体设备出口管制转向全面许可制度后，该公司还在中国无锡工厂加快向先进工艺的过渡。由于中国仍禁止进口极紫外 (EUV) 光刻设备，据报道 SK 海力士正在考虑在韩国进行单独的 EUV 工艺。
三星电子和SK海力士强调扩大先进制程份额的原因是预计今年高价值DRAM的需求将持续强劲。HBM 与人工智能半导体一起使用，第四代 (HBM3) 的供应量将大幅增加，第五代 (HBM3E) 的新量产将开始。DDR5目前安装在人工智能服务器和个人电脑中，预计从今年开始过渡到通用服务器。
在去年底将 NAND 闪存工厂的晶圆投入较年初减半后，三星电子继续奉行积极的 NAND 闪存削减战略，重点关注 128 层（第 6 代）。由于价格大幅下降和老一代 NAND 闪存销售疲软，该公司正在推动直接过渡到 236 层（第 8 代），跳过中间代。
SK海力士还计划今年进行以238层为中心的工艺过渡。然而，分析表明，由于去年的资本投资主要集中在扩大 HBM 产能上，NAND 闪存先进加工的积极扩张可能会面临挑战。
三星考虑将MUF应用于服务器DRAM 据 TheElec 获悉，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模制底部填充 (MUF)。
这家科技巨头在其现有的寄存双列直插内存模块 (RDIMM) 中使用了热压缩非导电薄膜 (TC NCF)。
但消息人士称，三星近测试了 3 维堆栈 (3DS) 内存的大规模回流 (MR) MUF 工艺，与 TC NCF 相比，吞吐量有所提升，但物理特性却恶化了。
三星芯片部门的一位高管去年下令对 MUF 进行测试。经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但适合 3DS RDIMM。3DS RDIMM 采用硅通孔 (TSV) 制成，面向服务器。
MUF是一种环氧模塑料，随着SK海力士在HBM生产中成功应用它而受到芯片行业的关注。该化合物是与 Namics 合作制造的。
三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物。消息人士称，三星还订购了 MUF 应用所需的设备。
尽管如此，三星预计将继续在其 HBM 生产中使用 TC NCF。预计美光科技也将采取同样的做法。该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。
