EPC 使用 GaN 晶体管创建高功率 D 类双通道音频功率放大器设计。 它在评估套件 EPC9192 中实例化，能够将 700W/通道推入 4Ω（或 2Ω），或将 350W/通道推入 8Ω。桥接...
分类：新品快报 时间：2024/4/12 阅读：355 关键词：D 类音频放大器
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、 人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 2024年1月11日 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 2024 年 1 月 11 日3:00 p.m. JST...
时间：2024/3/22 阅读：65 关键词：电子
据官网新闻稿，成立于2019年的GaN元器件供应商Odyssey Semiconductor Technologies Inc.（奥德赛半导体技术公司）日前已同意以952万美元已同意以952万美元将其大部分资产打包出售，然后解散公司。 公开资料显示，专注基于专有的氮化镓...
分类：业界动态 时间：2024/3/21 阅读：428 关键词：GaN元器件
ROHM - 罗姆的EcoGaN被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器“C4 Duo”采用！
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V GaN器件（EcoGaN ），被台达电子（Delta Electronics, Inc.，以下简称“台达”）Innergie 品牌的45W输出AC适配器（快速充电器）“C4 Duo” 采用。台达是基于IoT技术的绿色...
时间：2024/2/27 阅读：50 关键词：电子
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大...
时间：2024/1/22 阅读：83 关键词：SMD
ST - 意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(H...
时间：2024/1/17 阅读：61 关键词：电子
Allegro MicroSystems 为 GaN 功率晶体管创建了一款隔离式栅极驱动器 IC，无需高侧自举，也无需提供次级侧驱动电源电压。 Allegro AHV85111 隔离栅极驱动器模块 相反，AHV85111 内的 DC-DC 转换器会产生次级侧直流电源轨（一正一负...
分类：新品快报 时间：2024/1/16 阅读：405 关键词：GaN栅极驱动器
诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：347 关键词：传感器
英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器...
分类：新品快报 时间：2023/12/29 阅读：347 关键词：车规级氮化镓器件
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导...
分类：新品快报 时间：2023/12/18 阅读：293 关键词：意法半导体
随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器对于业界隔离 DC/DC 拓扑来说是一种有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器 (>75W)、1KW-3KW 数据...
设计应用 时间：2024/4/15 阅读：632
采用 GaN 的汽车降压/反向升压转换器，可实现高效 48 V 配电
汽车行业日益电气化的趋势使汽车制造商既能以成本效益向市场提供新的创新，又能满足日益严格的排放立法。将车辆的主母线电压提高到48V有助于满足耗电系统的需求，如轻度混...
设计应用 时间：2024/3/5 阅读：1235
足够的故障检测响应时间约为 2 s [2]，该时间决定了电源开关所需的短路承受时间 (SCWT) 额定值（即设备可以承受短路事件的最短时间） ，在源极端子和漏极端子之间施加高电...
技术方案 时间：2024/2/21 阅读：505
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：299
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。 在设计现代消费级 USB Type-C 移动充电器、PC 电源和电视...
基础电子 时间：2024/1/2 阅读：350
高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性可减少注入放大器的可听噪声。近期，包括Technics（松下）在内的知名音频设备制造商均发布了采...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1891
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1138
汽车 GaN FET 专为 HEV/EV 的高频和鲁棒性而设计
电动汽车 (EV) 车载充电器 (OBC) 正在经历快速变化，它允许消费者直接通过家里或公共或商业网点的交流电源为电池充电。提高充电速率的需要导致功率水平从 3.6 kW 增加到 22...
设计应用 时间：2023/12/27 阅读：678
Microchip 的 SP1F 和 SP3F 电源模块采用免焊压接端子，通过创新和简单性重新定义了制造效率。这项革命性技术不仅大大降低了生产成本，而且还加快了组装过程。这些模块有 2...
设计应用 时间：2023/12/22 阅读：658
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。 近年来，在服务器系统等领...
新品速递 时间：2023/11/27 阅读：2721
