正在上海国际博览中心举行的CESA 2018展会上,国产消费电子企业是当仁不让的主角,除了一众手机品牌兴风作浪之外,最吸引眼球的当属国产家电品牌的争芳斗艳了。虽然空调、...
2018年6月13-15日,CES Asia亚洲消费电子展于在上海国际博览中心举行。虽然CES Asia今年仍只是一个仅4周岁的年轻展会,但携美国CES展声威,已经成为亚洲地区极为重要的汇...
恩智浦半导体(NXP)近日发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本
恩智浦半导体(NXP)近日发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本
简介 双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度快,但输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗...
其它 时间:2011/8/27 阅读:1448
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat(BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支:超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20V-60V,采用小型SMD封装SOT23(2
新品速递 时间:2010/3/8 阅读:3501
恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电...
新品速递 时间:2007/12/13 阅读:1475
恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电...
新品速递 时间:2007/11/29 阅读:1597