Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...
分类：新品快报 时间：2024/3/15 阅读：437 关键词：MOSFET
据彭博社报道，鸿海集团促进美国法院驳回Lordstown Motors 的破产申请案，或改为依据破产法第 7 章进行破产清算。 Lordstown 在 6 月下旬申请破产, Lordstown把破产归咎...
Lordstown指控鸿海违约， 鸿海回应：强烈反对，愿意协商
Lordstown Motors(RIDE)指控鸿海欲中止1.7亿美元的投资，海强烈反对关于LMC指控鸿海违约。主要是美国那斯达克交易所通知股价长期无法维持在1.00美元以上的条款，此次事违反了此前双方的投资协议内容。 但鸿海依旧愿意与LMC协商。达成...
分类：业界动态 时间：2023/5/5 阅读：289 关键词：鸿海
2月24日鸿海 MIH 伙伴、美国电动车新创 Lordstown 2月24日发布公告。首款皮卡车 Endurance 因为零组件质量与效能问题，皮卡车 Endurance 因为零组件质量与效能问题，将召回...
分类：业界动态 时间：2023/2/24 阅读：403 关键词：鸿海
Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通...
分类：新品快报 时间：2022/11/3 阅读：213 关键词：二极管
薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管 MOSFET, RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
Vishay推出采用薄型PowerPAK?10x12封装的新型第四代600VEF系列快速体二极管MOSFET。 VishaySiliconixn沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%，为通信、工业和计算应...
分类：新品快报 时间：2022/10/25 阅读：623
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具...
分类：新品快报 时间：2022/2/24 阅读：396 关键词：Vishay
Digi-Key 被 EE Awards Asia 亚洲金选奖授予 “金选三大电子零组件通路商” 称号
世界供应品类极为丰富、发货快速的现货电子元器件分销商Digi-Key Electronics日前宣布获评EE Awards Asia亚洲金选奖 “金选三大电子零组件通路商” 称号 。 EE Awards Asia 亚洲金选奖提供年度推荐榜单成为很佳设计解決方案的指南，评...
分类：名企新闻 时间：2021/11/27 阅读：584 关键词：Digi-Key
富士康母公司鸿海科技集团以2.3亿美元(约合14.82亿元人民币）的价格收购了美国电动汽车初创公司LordstownMotors位于俄亥俄州的工厂，为未来生产电动车做准备。 据悉，鸿海...
分类：名企新闻 时间：2021/10/13 阅读：2327
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55m?RDS（on）40V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车（BUK7S0R5-40H）和工业（PSMNR55-40SSH）...
分类：新品快报 时间：2021/5/28 阅读：3064
受益于国家对新基建项目的重视，新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样，5G领域也...
分类：新品快报 时间：2021/3/30 阅读：3269
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率
节省空间的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封装， RDS(ON)导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC 宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年10月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功...
分类：新品快报 时间：2020/12/21 阅读：655 关键词：Vishay
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内水平，提高系统功率密度且节省能源
TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm 宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN...
AVNET安富利推出96Boards ON Semiconductor双摄像头夹层卡 加快原型创建
的技术解决方案提供商安富利日前推出了96Boards ON Semiconductor双摄像头夹层卡开发和原型创建平台。该平台适用于与双摄像头模块搭配使用的AP1302图像处理器，能够帮助设计和系统工程师利用行业标准技术创建经济、高效的嵌入式视觉应用...
UnitedSiC推出具有RDS（on）的DFN 8x8格式FET
美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC...
分类：新品快报 时间：2020/2/6 阅读：1991 关键词：RDS
