类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2022-02-24 16:56:30 | 385 次阅读
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。
SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54 %和52 %，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。
为提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A，封装占位面积比D2PAK封装减小60 %，高度降低57 %。为节省电路板空间，每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。
器件规格表：
产品型号
VDS (V)
ID (A)
RDS(ON) @ 10 V (mW)
Rthjc (°C/W)
SiJH600E
60
373
0.65
0.36
SiJH800E
80
299
1.22
0.36
该Vishay Siliconix器件工作温度可达+175 °C，性能稳定可靠，适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
封装对比表:
封装
长 (mm)
宽 (mm)
高 (mm)
尺寸 (长x宽mm2)
PowerPAK 8x8L
8.0
7.9
1.8
63.2
D2PAK (TO-263)
15.2
10
4.4
152
SiJH600E和SiJH800E现可提供样品。产品供货周期和数量的相关信息，请与Vishay或我们的经销商联系。
联系邮箱：3342987809@qq.com
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