类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2022-11-03 15:39:10 | 204 次阅读
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
Vishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。随着SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600 V EF系列器件的发布，Vishay可满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）以及其后的DC/DC转换器模块。典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。
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