2005年，摩尔定律遇到了瓶颈期。根据摩尔定律，若想让芯片的晶体管容量继续翻倍，就要把下一代微芯片的晶体管尺寸缩小到45纳米（10亿分之45米）——比当时的65纳米芯片还要...
分类：业界要闻 时间：2018/10/29 阅读：741 关键词：45纳米
昨天，中芯国际(00981.HK)宣布，与中芯北京、北京工业发展投资管理及中关村发展集团成立合资公司，主要从事测试、开发、设计、制造、封装及销售集成电路，将专注45纳米及更先进的晶圆技术，目标是产能达到每月35000片晶圆。此次投资总额...
分类：名企新闻 时间：2013/6/4 阅读：1261 关键词：芯片
2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发；同时力争实现45纳米和40纳米技术的小批量试产。2010年半导体业将持续复苏的势头，在通信和消费类电子市场的带动下，相应的半导体产品市场出现了回升；低碳经济、绿...
分类：名企新闻 时间：2010/3/5 阅读：1104
中芯国际采用Cadence DFM解决方案用于65和45纳米IP/库开发和全芯片生产
全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司宣布，中芯国际集成电路制造有限公司）采用了CadenceLithoPhysicalAnalyzer与CadenceLithoElectricalAnalyzer，从而能够更准确地预测压力和光刻差异对
分类：业界要闻 时间：2009/10/22 阅读：2101
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulkprocess)进行芯片制造，该测试芯片显示出
ARM发布45纳米SOI测试芯片结果 显示出较体效应工艺节能40%的可能性
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅（silicon-on-insulator，SOI）45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺（bulkprocess）进行芯片制造，该测试芯片显示出
台积电40/45纳米制程传出好消息，对岸的晶圆代工厂中芯国际也紧跟在后！中芯国际表示，45纳米搭上IBM技术阵营的共通平台(CommonPlatform)，进展也将愈追愈快，预计2009年底将正式投产(Tape-out)，2010年放量生产。中芯国
分类：业界要闻 时间：2009/9/28 阅读：705 关键词：IBM
中芯国际在65纳米和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财解决方案
2009年9月25日，嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的供货商--Kilopass科技公司(KilopassTechnologyInc.)和的晶圆代工厂之一--中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）今天宣布在嵌入式OTP
分类：业界要闻 时间：2009/9/27 阅读：420 关键词：CMOS
日前，恩智浦半导体（NXPSemiconductors）推出了新款高度集成的片上系统(SoC)产品系列，为全球卫星电视、有线电视和IPTV网络使用的主流硬盘数字录像机(HDDVR)和机顶盒平台提供一整套高性能解决方案。作为全球内置多频道广播接收
NXP推出全集成45纳米机顶盒SoC平台PNX847x/8x/9x
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日推出了新款高度集成的片上系统(SoC)产品系列，为全球卫星电视、有线电视和IPTV网络使用的主流硬盘数字录像机(HDDVR)和机顶盒平台提供一整套高性能解决方案。作为全球内置多频道广播接收器
佛罗里达州奥兰多（飞思卡尔技术论坛）当地时间2007年5月25日，一个惊人消息由飞思卡尔半导体公司发布了出来。一款新的多内核通信平台诞生了，这是一款具有创新性的多内核架构，提供突破性的效率、性能和规模，同时可解决多内核软件开发...
新品速递 时间：2011/9/4 阅读：2439
Altera推出首个45纳米FPGA。45纳米将继续实现成本和功耗降低、性能提升，但会同时带来设计和工艺挑战，需要FPGA供应商和晶圆代工厂间更紧密的合作。Altera宣称其和台积电（TSMC）这种“1+1排他性合作”模式在45纳米节点显示现更大优
其它 时间：2011/6/13 阅读：1645
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）今天推出了新款高度集成的片上系统(SoC)产品系列，为全球卫星电视、有线电视和IPTV网络使用的主流硬盘数字录像机(HDDVR)和机顶盒平台提供一整套高性能解决方案。作为全球首个内置多频道广播接收器
新品速递 时间：2009/9/11 阅读：1695
处理器与模拟IP授权商MIPSTechnologiesInc.宣布，通过与恩智浦半导体(NXP)合作，已经开发出一种将用于45纳米硅片的HDMI1.3接收器内核。双方一年前宣布，将扩大战略合作关系，为高清电视和显示器、音像接收器和机顶盒等家用电器开
新品速递 时间：2009/3/5 阅读：1883
英特尔公司(Intel)宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器(具有长达7年的生命周期支持)、芯片组及电信级服务器。据悉，这些处理器全部基于英特尔公司革命性的高k金属栅极晶体管技术，并采用先进的45纳米制程工艺，具体产品包括四核英特尔至...
新品速递 时间：2008/4/14 阅读：1601
台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此，工程师应用了全部最先进的工艺设备，包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划明年试生产45纳米芯片...
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1465
Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能
瑞萨科技宣布开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。...
新品速递 时间：2007/12/3 阅读：1119
TI创新芯片材料技术突破漏电问题领跑45纳米乃至更高工艺技术
日前，德州仪器(TI)宣布计划在其最先进的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层...
新品速递 时间：2007/12/3 阅读：1315
Synopsys发布DFM新系列产品解决45纳米及以下工艺相关变异问题
Synopsys推出了具备工艺识别功能的可制造性设计(DFM)新系列产品PA－DFM，用于分析45纳米及以下工艺定制/模拟设计阶段的工艺变异的影响。随着工艺尺寸的日益减小，先进硅技术将引起更多如应力工程的变异问题，这将越来越影响电路的性能。S...
新品速递 时间：2007/11/30 阅读：1116
无线技术和数据解决方案的开发及创新厂商美国高通公司(Qualcomm)宣布推出三款全新的45纳米单芯片解决方案，旨在让面向大众市场的智能手机具备卓越的功能组合。其中，QSC7230解决方案用于HSPA+终端，QSC7830解决方案用于CDMA200
新品速递 时间：2007/11/29 阅读：1364
