佛罗里达州奥兰多(飞思卡尔技术论坛)当地时间2007年5月25日,一个惊人消息由飞思卡尔半导体公司发布了出来。一款新的多内核通信平台诞生了,这是一款具有创新性的多内核架构,提供突破性的效率、性能和规模,同时可解决多内核软件开发...
新品速递 时间:2011/9/4 阅读:2439
Altera推出首个45纳米FPGA。45纳米将继续实现成本和功耗降低、性能提升,但会同时带来设计和工艺挑战,需要FPGA供应商和晶圆代工厂间更紧密的合作。Altera宣称其和台积电(TSMC)这种“1+1排他性合作”模式在45纳米节点显示现更大优
其它 时间:2011/6/13 阅读:1645
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)今天推出了新款高度集成的片上系统(SoC)产品系列,为全球卫星电视、有线电视和IPTV网络使用的主流硬盘数字录像机(HDDVR)和机顶盒平台提供一整套高性能解决方案。作为全球首个内置多频道广播接收器
新品速递 时间:2009/9/11 阅读:1695
处理器与模拟IP授权商MIPSTechnologiesInc.宣布,通过与恩智浦半导体(NXP)合作,已经开发出一种将用于45纳米硅片的HDMI1.3接收器内核。双方一年前宣布,将扩大战略合作关系,为高清电视和显示器、音像接收器和机顶盒等家用电器开
新品速递 时间:2009/3/5 阅读:1883
英特尔公司(Intel)宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器(具有长达7年的生命周期支持)、芯片组及电信级服务器。据悉,这些处理器全部基于英特尔公司革命性的高k金属栅极晶体管技术,并采用先进的45纳米制程工艺,具体产品包括四核英特尔至...
新品速递 时间:2008/4/14 阅读:1601
台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此,工程师应用了全部最先进的工艺设备,包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划明年试生产45纳米芯片...
新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1465
Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能
瑞萨科技宣布开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。...
新品速递 时间:2007/12/3 阅读:1119
TI创新芯片材料技术突破漏电问题领跑45纳米乃至更高工艺技术
日前,德州仪器(TI)宣布计划在其最先进的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来,人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题,随着晶体管日趋小型化,这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层...
新品速递 时间:2007/12/3 阅读:1315
Synopsys发布DFM新系列产品解决45纳米及以下工艺相关变异问题
Synopsys推出了具备工艺识别功能的可制造性设计(DFM)新系列产品PA-DFM,用于分析45纳米及以下工艺定制/模拟设计阶段的工艺变异的影响。随着工艺尺寸的日益减小,先进硅技术将引起更多如应力工程的变异问题,这将越来越影响电路的性能。S...
新品速递 时间:2007/11/30 阅读:1116
无线技术和数据解决方案的开发及创新厂商美国高通公司(Qualcomm)宣布推出三款全新的45纳米单芯片解决方案,旨在让面向大众市场的智能手机具备卓越的功能组合。其中,QSC7230解决方案用于HSPA+终端,QSC7830解决方案用于CDMA200
新品速递 时间:2007/11/29 阅读:1364