纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：267 关键词：碳化硅MOSFET
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，...
分类：新品快报 时间：2024/2/29 阅读：383 关键词：电子
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：378 关键词：MOSFET
瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
瑞能半导体CEOMarkusMosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上，MarkusMosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正...
分类：名企新闻 时间：2022/9/9 阅读：1663
ling先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIMEurope展会发布quan球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了...
分类：新品快报 时间：2022/5/12 阅读：2273
安森美推出quan球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
ling先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIMEurope展会发布quan球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了...
分类：新品快报 时间：2022/5/11 阅读：1207
Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品很多提前6个月上市 电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要...
分类：名企新闻 时间：2022/2/21 阅读：456 关键词： Microchip
Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...
分类：新品快报 时间：2022/2/11 阅读：585 关键词：Toshiba
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流...
分类：新品快报 时间：2022/2/10 阅读：3637
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC)MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，...
分类：新品快报 时间：2021/3/23 阅读：3657
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchip Technology Inc.（...
新品速递 时间：2021/9/24 阅读：619
电池供电的便携设备越来越多，在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于高能量储存技术的发展，例如锂离子(Li-ion)电池和超级电容器。这些储能设备连接到可再...
设计应用 时间：2021/7/5 阅读：483
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成 开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。 为达到175℃的通道温度，...
新品速递 时间：2021/5/18 阅读：890
摘要 随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康，并延长其使用寿命。 简介 电池供电的便携式...
设计应用 时间：2021/4/20 阅读：621
摘要 由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术...
基础电子 时间：2020/7/3 阅读：606
2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里？...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：703
ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中，碳化硅MOSFET正在取代标准硅...
设计应用 时间：2019/3/8 阅读：852
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有...
新品速递 时间：2018/10/23 阅读：578
Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结...
新品速递 时间：2018/3/16 阅读：1237
