Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效，应用的范围更为广泛。

Z-FET™ CMF20120D — Industry’s First SiC MOSFET (业界*碳化硅MOSFET)

Attain record efficiencies with significant reliability improvement over competing Si devices.

VDS:1200 V  RDS:80 mΩ  ID(MAX):33A

• High-speed switching
• Low capacitances
• Only 20% increase in RDS(ON)
  over operating temperature range
• Easy to parallel 
• 在同类产品中的开关损耗。
  能够与世界*的效率显着较高的开关频率。
  降低磁性元件和过滤器的大小显着减少冷却要求。
  *合RoHS，REACH法规和卤素无兼容

 碳化硅MOSFET应用在电力电子
Cree的CMF20120D是能源效率是*的的高电压应用的理想选择。太阳能逆变器碳化硅MOSFET的升压和逆变器的DC - AC转换器可以使用的例子。下降*过30％的SiC MOSFET的开关损耗;与Cree的碳化硅结势垒肖特基二*管相结合，整个系统的效率已经证明> 99％。