类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2024-02-29 11:32:34 | 417 次阅读
意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,非常适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案,在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离,确保无缝集成和优质性能。
选择正确的栅极驱动器对于实现功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用,对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高,而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化,并可在高达1200V的高压下工作,使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC,STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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