纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：288 关键词：碳化硅MOSFET
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，...
分类：新品快报 时间：2024/2/29 阅读：422 关键词：电子
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：384 关键词：MOSFET
瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
瑞能半导体CEOMarkusMosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上，MarkusMosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正...
分类：名企新闻 时间：2022/9/9 阅读：1668
ling先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIMEurope展会发布quan球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了...
分类：新品快报 时间：2022/5/12 阅读：2274
安森美推出quan球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
ling先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIMEurope展会发布quan球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了...
分类：新品快报 时间：2022/5/11 阅读：1208
Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品很多提前6个月上市 电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要...
分类：名企新闻 时间：2022/2/21 阅读：463 关键词： Microchip
Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...
分类：新品快报 时间：2022/2/11 阅读：591 关键词：Toshiba
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流...
分类：新品快报 时间：2022/2/10 阅读：3639
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC)MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，...
分类：新品快报 时间：2021/3/23 阅读：3663
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。 该功率MOS...
分类：新品快报 时间：2020/10/20 阅读：13703
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构（650V / 1200V）的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装（TO-247-4L）型款，与传统3引脚封装类型（TO-247N）相比，可...
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用4寸平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。 ...
分类：新品快报 时间：2019/1/14 阅读：1232 关键词：半导体
国内首款工业级碳化硅MOSFET发布，基本半导体公司开拓第三代半导体领域
新年伊始，基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET，该产品各项性能达到国际水平，其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布，标志着基...
分类：业界动态 时间：2019/1/14 阅读：472 关键词：半导体
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有...
分类：新品快报 时间：2018/12/8 阅读：1218 关键词：碳化硅MOSFET
