铠侠控股公司已开始向人工智能数据中心运营商交付其下一代闪存芯片样品，力图在这个利润丰厚的业务中战胜竞争对手。 这家总部位于东京的芯片制造商最新推出的高存储密度...
分类：业界动态 时间：2026/7/3 阅读：5458 关键词：铠侠
基于 3000 P/E BiCS8 闪存，创见推出新一代工业级 SSD、存储卡
创见 (Transcend) 宣布推出基于 3000 P/E 抹写周期的铠侠-闪迪第八代（218 层）BiCS FLASH 3D 闪存的工业级固态硬盘和存储卡解决方案，全系享有三年有限保固服务。 在 S...
分类：新品快报 时间：2026/6/30 阅读：9761
SK 海力士 400 层工艺遇阻，年底将推 375 层 NAND 闪存
在半导体存储领域，SK 海力士近期有了新的动态。原本计划推出 400 层架构 NAND 闪存的 SK 海力士，由于超高层数堆叠的量产工艺遇到瓶颈，不得不调整产品规划。目前，该公司...
分类：名企新闻 时间：2026/6/11 阅读：6200 关键词：SK 海力士
国内存储大厂佰维存储发布公告，宣布与某存储原厂签订为期24个月的企业级闪存颗粒采购合同，总承诺采购金额达18.6080亿美元（约合126亿元人民币），约定锁量锁价，履约期限...
分类：名企新闻 时间：2026/6/10 阅读：2870 关键词：佰维存
SanDisk-闪迪携UFS4.1新品及全场景闪存解决方案亮相CFMS|MemoryS 2026
先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司（Nasdaq：SNDK）于今日携旗下全面的闪存解决方案，包括其首款面向智能移动设备的QLC UFS 4.1产品亮相CFMS|MemoryS 2026峰会。依托其在数...
时间：2026/5/27 阅读：138 关键词：Sandisk
Kioxia与Dell Technologies率先推出搭载9.8 PB闪存存储的高密度服务器
Kioxia Corporation今日宣布在高密度存储基础设施领域取得突破性成果，携手Dell Technologies推出一款2U服务器配置，闪存存储容量可拓展至前所未有(1)的9.8 PB。通过将Dell...
分类：新品快报 时间：2026/5/19 阅读：12820 关键词：闪存
在全球存储芯片价格持续飙升的背景下，科技巨头苹果正酝酿一场供应链变革。据多方消息证实，苹果计划在中国市场销售的iPhone机型中采用长江存储生产的NAND闪存芯片，这一举措将打破长期以来由三星、SK海力士等韩系厂商主导的供应格局。 ...
分类：业界动态 时间：2026/3/30 阅读：3356
铠侠宣布停产TSOP封装MLC NAND闪存，行业格局面临重塑
全球存储巨头铠侠电子(中国)有限公司近日正式发布通知，宣布将逐步停止生产采用"薄型小尺寸封装"(TSOP)的MLC NAND闪存产品。这一决定标志着存储行业一个重要时代的终结，也...
分类：业界要闻 时间：2026/3/20 阅读：43284
铠侠突破HBM容量限制：超高IOPS SSD将实现GPU直连闪存
在AI运算需求爆炸式增长的今天，存储性能已成为制约计算效率的关键瓶颈。传统HBM内存虽带宽优异，但容量限制和成本问题始终困扰着开发者。铠侠最新公布的战略似乎带来了破局曙光——一款能实现1000万IOPS随机读写性能的革命性SSD即将面世...
分类：业界动态 时间：2026/3/17 阅读：3184
IBM推出AI智能体驱动的FlashSystem全闪存产品组合，开启“自主存储“新时代
三款全新的企业级存储系统——IBM FlashSystem 5600、7600和9600——大幅提高存储管理工作效率； FlashSystem.ai将AI智能体作为协同管理员嵌入存储阵列； 第五代FlashCore Module（FCM5）可在1分钟内检测出勒索软件，实现系统弹性...
分类：新品快报 时间：2026/3/16 阅读：65533 关键词：IBM
在电子设备的存储配置描述中，“eMMC” 是一个高频出现的词汇，尤其在中低端智能手机、平板电脑、智能电视等产品中更为常见。但很多用户会混淆 “内存” 与 “闪存” 的概念，进而产生 “eMMC 是闪存还是内存” 的疑问。要解答这个问题，...
设计应用 时间：2025/9/15 阅读：3245
一、闪存的定义与优势闪存是一种非易失性存储器，广泛应用于各类电子设备中，用于数据存储。它之所以备受青睐，是因为具备快速读写速度、耐用性、低功耗和小型化等显著优点。闪存通过电荷来存储信息，即使在掉电的情况下，也能够保留数据...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：793
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：968
闪存（Flash Memory）和固态硬盘（SSD）都是基于半导体存储的技术，但它们在设计、性能和用途上有显著区别。以下是两者的主要差异： 1. 基本定义闪存（Flash Memory）一种非易失性存储芯片（断电后数据不丢失），通过浮栅晶体管存储电...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：1217
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2623
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：841
SEMPER NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间
英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPERNOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖...
新品速递 时间：2024/2/27 阅读：1178
TI - OptiFlash 存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战
在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断...
基础电子 时间：2024/1/11 阅读：474
这种新功能和先进功能的结合正在对传统汽车 E/E 架构的能力造成压力（见图1）。为了满足这一需求，原始设备制造商正在通过采用域/区域架构方法将更多功能整合到更少的系统...
设计应用 时间：2023/12/6 阅读：840
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：1009
